2月11日电,三星电子首席技术官表示,该公司预计,市场对内存芯片的强劲需求不仅将持续今年全年,而且还将持续到明年,因为人工智能推动了强劲的需求。他还重点强调,三星公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率,客户对其性能表示非常满意。据报道,三星计划在本月晚些时候开始HBM4的大规模生产并将其交付给主要客户。其HBM4芯片使用其1c工艺(第六代10纳米级DRAM技术)制造DRAM单元芯片,同时使用4纳米工艺制造基板芯片。基于这些技术,三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7Gbps的数据处理速度,超过了联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。