消息称三星已打造更优秀DRAM结构 且良率提升至60%以上

    《科创板日报》25日讯，三星电子已成功打造出一种比以往占用面积更小、发热量更低、电力和信息传输更顺畅的DRAM结构。三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。基于这项成果，三星电子已将最新DRAM生产良率大幅提升至60%以上，并已开始研究如何在新设计DRAM量产前进一步提高良率，同时还与客户合作开展测试。